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BSZ15DC02KDHXTMA1

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Parte del produttore
BSZ15DC02KDHXTMA1
Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 5.1/3.2A TDSON
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Disponibile
13717
Schede tecniche in linea
BSZ15DC02KDHXTMA1 PDF
  • serie:Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N and P-Channel Complementary
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • drain to source tensione (vdss):20V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.1A, 3.2A
  • rds su (max) @ id, vgs:55mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.4V @ 110µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:2.8nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:419pF @ 10V
  • potenza - max:2.5W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-PowerTDFN
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TSDSON-8-FL
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