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BSG0811NDATMA1

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Parte del produttore
BSG0811NDATMA1
Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Disponibile
14448
Schede tecniche in linea
BSG0811NDATMA1 PDF
  • serie:OptiMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • drain to source tensione (vdss):25V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:19A, 41A
  • rds su (max) @ id, vgs:3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:8.4nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1100pF @ 12V
  • potenza - max:2.5W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-PowerTDFN
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TISON-8
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