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QJD1210011

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Parte del produttore
QJD1210011
Produttore
Powerex, Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Disponibile
13409
Schede tecniche in linea
QJD1210011 PDF
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Silicon Carbide (SiC)
  • drain to source tensione (vdss):1200V (1.2kV)
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100A (Tc)
  • rds su (max) @ id, vgs:25mOhm @ 100A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 10mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:500nC @ 20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:10200pF @ 800V
  • potenza - max:900W
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto / custodia:Module
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Module
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