scheda dei prezzi TPCC8104,L1Q(CM Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation| infortune-it.com

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Parte del produttore: TPCC8104,L1Q(CM

Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Disponibile: 16093

Schede tecniche in linea: -

TPCC8104,L1Q(CMAvviso

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serie:U-MOSVI
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato di parte:Active
tipo di piedi:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A (Ta)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 500µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:58 nC @ 10 V
vg (massimo):+20V, -25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2260 pF @ 10 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):700mW (Ta), 27W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:8-TSON Advance (3.3x3.3)
pacchetto / custodia:8-PowerVDFN

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Numero di parte	Descrizione	Azione
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V961-0007-E3 Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH TO-247AC	Disponibile: 9.186
AOTF20S60_001 Alpha and Omega Semiconductor, Inc.	MOSFET N-CH TO220	Disponibile: 9.187
CP375-CWDM3011N-CT Central Semiconductor	MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE	Disponibile: 9.188
FDC3616N Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 3.7A SUPERSOT6	Disponibile: 9.189
FDC637ANNB5E023A Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6	Disponibile: 9.190
TK50E10K3(S1SS-Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation	MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB	Disponibile: 9.191
IRFC9130NB IR (Infineon Technologies)	MOSFET 100V 14A DIE	Disponibile: 9.192
JANTX2N6768 Microsemi	MOSFET N-CH 400V 14A TO3	Disponibile: 9.193