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A3T19H455W23SR6

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Parte del produttore
A3T19H455W23SR6
Produttore
NXP Semiconductors
Descrizione
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - rf
Disponibile
14357
Schede tecniche in linea
A3T19H455W23SR6 PDF
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:LDMOS (Dual)
  • frequenza:1.93GHz ~ 1.99GHz
  • guadagno:16.4dB
  • tensione - prova:30 V
  • corrente nominale (ampere):10µA
  • figura di rumore:-
  • corrente - prova:540 mA
  • potenza - uscita:81W
  • tensione - nominale:65 V
  • pacchetto / custodia:ACP-1230S-4L2S
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:ACP-1230S-4L2S
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