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TC58NYG2S0HBAI4

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Parte del produttore
TC58NYG2S0HBAI4
Produttore
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Descrizione
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Disponibile
12808
Schede tecniche in linea
TC58NYG2S0HBAI4 PDF
  • serie:-
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Active
  • tipo di memoria:Non-Volatile
  • formato di memoria:FLASH
  • tecnologia:FLASH - NAND (SLC)
  • Dimensione della memoria:4Gb (512M x 8)
  • interfaccia di memoria:-
  • frequenza di clock:-
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:25ns
  • tempo di accesso:-
  • tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.95V
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:63-VFBGA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:63-TFBGA (9x11)
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