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TC58BYG2S0HBAI6

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Parte del produttore
TC58BYG2S0HBAI6
Produttore
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Descrizione
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
Categoria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Disponibile
18230
Schede tecniche in linea
TC58BYG2S0HBAI6 PDF
  • serie:Benand™
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Active
  • tipo di memoria:Non-Volatile
  • formato di memoria:FLASH
  • tecnologia:FLASH - NAND (SLC)
  • Dimensione della memoria:4Gb (512M x 8)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di clock:-
  • scrivere tempo ciclo - parola, pagina:25ns
  • tempo di accesso:25 ns
  • tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.95V
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:67-VFBGA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:67-VFBGA (6.5x8)
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