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IPG20N06S4L26ATMA1

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Parte del produttore
IPG20N06S4L26ATMA1
Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Disponibile
10116
Schede tecniche in linea
IPG20N06S4L26ATMA1 PDF
  • serie:OptiMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):60V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A
  • rds su (max) @ id, vgs:26mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 10µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:20nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1430pF @ 25V
  • potenza - max:33W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-PowerVDFN
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TDSON-8-4
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