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TPD3215M

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Parte del produttore
TPD3215M
Produttore
Transphorm
Descrizione
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Disponibile
11406
Schede tecniche in linea
TPD3215M PDF
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Half Bridge)
  • caratteristica dei piedi:GaNFET (Gallium Nitride)
  • drain to source tensione (vdss):600V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:70A (Tc)
  • rds su (max) @ id, vgs:34mOhm @ 30A, 8V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:28nC @ 8V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2260pF @ 100V
  • potenza - max:470W
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:Module
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Module
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