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SSM6N55NU,LF

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Parte del produttore
SSM6N55NU,LF
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Disponibile
17273
Schede tecniche in linea
-
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):30V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4A
  • rds su (max) @ id, vgs:46mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 100µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:2.5nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:280pF @ 15V
  • potenza - max:1W
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:6-WDFN Exposed Pad
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:6-µDFN (2x2)
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