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SSM6L35FE,LM

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Parte del produttore
SSM6L35FE,LM
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Disponibile
18664
Schede tecniche in linea
SSM6L35FE,LM PDF
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N and P-Channel
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):20V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:180mA, 100mA
  • rds su (max) @ id, vgs:3Ohm @ 50mA, 4V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:-
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:9.5pF @ 3V
  • potenza - max:150mW
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SOT-563, SOT-666
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:ES6 (1.6x1.6)
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