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SI3590DV-T1-GE3

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Parte del produttore
SI3590DV-T1-GE3
Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Disponibile
15142
Schede tecniche in linea
SI3590DV-T1-GE3 PDF
  • serie:TrenchFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N and P-Channel
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):30V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.5A, 1.7A
  • rds su (max) @ id, vgs:77mOhm @ 3A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:4.5nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
  • potenza - max:830mW
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:6-TSOP
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