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MT3S20P(TE12L,F)

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Parte del produttore
MT3S20P(TE12L,F)
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - rf
Disponibile
19422
Schede tecniche in linea
MT3S20P(TE12L,F) PDF
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:NPN
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):12V
  • frequenza - transizione:7GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):1.45dB @ 1GHz
  • guadagno:16.5dB
  • potenza - max:1.8W
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 50mA, 5V
  • corrente - collettore (ic) (max):80mA
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-243AA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PW-MINI
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