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NGTB03N60R2DT4G

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Parte del produttore
NGTB03N60R2DT4G
Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
IGBT 9A 600V DPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Disponibile
14385
Schede tecniche in linea
NGTB03N60R2DT4G PDF
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:-
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
  • corrente - collettore (ic) (max):9 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):12 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 3A
  • potenza - max:49 W
  • energia di commutazione:50µJ (on), 27µJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:17 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:27ns/59ns
  • condizione di test:300V, 3A, 30Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):65 ns
  • temperatura di esercizio:175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DPAK
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