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TK33S10N1Z,LQ

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Parte del produttore
TK33S10N1Z,LQ
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Disponibile
13808
Schede tecniche in linea
TK33S10N1Z,LQ PDF
  • serie:U-MOSVIII-H
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):100 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:33A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:9.7mOhm @ 16.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 500µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2050 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
  • temperatura di esercizio:175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DPAK+
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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