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TP90H050WS

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Parte del produttore
TP90H050WS
Produttore
Transphorm
Descrizione
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Disponibile
19567
Schede tecniche in linea
-
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • drain to source tensione (vdss):900 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:34A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:63mOhm @ 22A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.4V @ 700µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:17.5 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:980 pF @ 600 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):119W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247-3
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
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