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IPW60R045P7XKSA1

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Parte del produttore
IPW60R045P7XKSA1
Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Disponibile
14986
Schede tecniche in linea
-
  • serie:CoolMOS™ P7
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):650 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:61A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:45mOhm @ 22.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 1.08mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:90 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3891 pF @ 400 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):201W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TO247-3-41
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
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