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FQD3N30TF

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Parte del produttore
FQD3N30TF
Produttore
Fairchild (ON Semiconductor)
Descrizione
MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Disponibile
11726
Schede tecniche in linea
FQD3N30TF PDF
  • serie:QFET®
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):300 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.4A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:2.2Ohm @ 1.2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:230 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D-Pak
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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