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TPH4R606NH,L1Q

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Parte del produttore
TPH4R606NH,L1Q
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Disponibile
14778
Schede tecniche in linea
TPH4R606NH,L1Q PDF
  • serie:U-MOSVIII-H
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:32A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):6.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:4.6mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 500µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:49 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3965 pF @ 30 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 63W (Tc)
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-SOP Advance (5x5)
  • pacchetto / custodia:8-PowerVDFN
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