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BSS119NH6327XTSA1

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Parte del produttore
BSS119NH6327XTSA1
Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Disponibile
19224
Schede tecniche in linea
BSS119NH6327XTSA1 PDF
  • serie:OptiMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):100 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:190mA (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:6Ohm @ 190mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.3V @ 13µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:0.6 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:20.9 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SOT-23-3
  • pacchetto / custodia:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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