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IPB014N06NATMA1

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Parte del produttore
IPB014N06NATMA1
Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Disponibile
17268
Schede tecniche in linea
IPB014N06NATMA1 PDF
  • serie:OptiMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:34A (Ta), 180A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):6V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:1.4mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 143µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:106 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7800 pF @ 30 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 214W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TO263-7
  • pacchetto / custodia:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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