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TK40P04M1(T6RSS-Q)

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Parte del produttore
TK40P04M1(T6RSS-Q)
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 40A DP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Disponibile
14485
Schede tecniche in linea
TK40P04M1(T6RSS-Q) PDF
  • serie:U-MOSVI-H
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):40 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:40A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:11mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.3V @ 200µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1920 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):47W (Tc)
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DP
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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