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BSC110N06NS3GATMA1

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Parte del produttore
BSC110N06NS3GATMA1
Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Disponibile
17223
Schede tecniche in linea
BSC110N06NS3GATMA1 PDF
  • serie:OptiMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:50A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:11mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 23µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 30 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TDSON-8-5
  • pacchetto / custodia:8-PowerTDFN
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