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BSO130P03SHXUMA1

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Parte del produttore
BSO130P03SHXUMA1
Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Disponibile
17293
Schede tecniche in linea
BSO130P03SHXUMA1 PDF
  • serie:OptiMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9.2A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:13mOhm @ 11.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 140µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:81 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±25V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3520 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1.56W (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:P-DSO-8
  • pacchetto / custodia:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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