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HN4A51JTE85LF

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Parte del produttore
HN4A51JTE85LF
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - array
Disponibile
17491
Schede tecniche in linea
HN4A51JTE85LF PDF
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:2 PNP (Dual)
  • corrente - collettore (ic) (max):100mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):120V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):100nA (ICBO)
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 2mA, 6V
  • potenza - max:300mW
  • frequenza - transizione:100MHz
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SC-74A, SOT-753
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SMV
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